FinFET은 무엇일까요?
정확하지 않은 번역이 존재할수 있습니다. 문송합니다.
원본 영상 : https://www.youtube.com/watch?v=YYDNG4crRCs
아주 간단히 이야기하면 2D를 3D로 만든 것이랍니다. 이 덕분에 트랜지스터는 7nm급 미만까지도 공정미세화가 가능해졌습니다. 그 이후는 어찌될지는 저도 궁금합니다. 양자 컴퓨팅이 일상화 될까요?
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Who's 잼아저씨
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아닛!!
잼아저씨님이 문과였다는 사실이 무엇보다 놀라운 사실이군요...;;
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제 전공은 정체성의 위기를 겪는 학문이라지만 반도체를 배우진 않습니다.
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결과적으로 2D에서 3D로 모양이 변한게 맞습니다.
이유는, 공정이 미세해 지기 위해 Gate의 사이즈(동영상에서는 길이 L)가 작아져야 하는데, 게이트의 길이가 작아지면 소스에서 드레인으로 통과하는 전자가 많아지게 되됩니다. 즉 이것을 누설 전류라고 하는데 이런 누설전류를 막고자 처음에는 비전률 K가 높은 High-K 물질을 이용해 막았지만 한계에 다 다랐고, 새로운 대안으로 나온것이 지금의 Fin-FET방식인 3D형태로 바뀌었습니다. Fin-FET으로 바뀌면서 공핍층으로 인해 누설전류가 거의 없어졌습니다.
전공으로 물리전자 배웠던걸 이제서 써먹(?) 기억해 봅니다.ㅋㅋ
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보충 설명 감사합니다. 좀 더 보충하자면 공정미세화를 하면 전기장 때문에 인가되는 전압이 낮아져야 한답니다. 지나치게 전압이 낮아지면 말씀하신 누설이 더 많이 일어나서 일반 평판 모스펫 기술로는 말씀하신대로 전류 누설이 너무 커진다고 합니다. 그래서 22nm 부터 FinFET 기술을 적용하기 시작한 것입니다. 다만 핀펫 관문의 길이 자체는 이제 평판 모스펫처럼 정확하게 22nm 이 아니라 "22nm 급" 이라고 합니다. 참조 영상 : https://youtu.be/ktHciPVAZaU?t=1m38s
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와 7나노라니;;;;
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전공자지만 이런거 볼때마다 신기합니다 으흐흐
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....... 외계인들과 살고 있엇어 난 ㅜ.ㅜ
결과적으로 2D에서 3D로 모양이 변한게 맞습니다.
이유는, 공정이 미세해 지기 위해 Gate의 사이즈(동영상에서는 길이 L)가 작아져야 하는데, 게이트의 길이가 작아지면 소스에서 드레인으로 통과하는 전자가 많아지게 되됩니다. 즉 이것을 누설 전류라고 하는데 이런 누설전류를 막고자 처음에는 비전률 K가 높은 High-K 물질을 이용해 막았지만 한계에 다 다랐고, 새로운 대안으로 나온것이 지금의 Fin-FET방식인 3D형태로 바뀌었습니다. Fin-FET으로 바뀌면서 공핍층으로 인해 누설전류가 거의 없어졌습니다.
전공으로 물리전자 배웠던걸 이제서 써먹(?) 기억해 봅니다.ㅋㅋ